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Hauptmerkmale
| Typ | Solid State Disk |
Allgemein
| Gerätetyp | Solid State Drive - intern |
| Kapazität | 15.36 TB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-bit AES-XTS |
| NAND-Flash-Speichertyp | Multi-Level-Cell (MLC) |
| Formfaktor | 2.5" (6.4 cm) |
| Schnittstelle | U.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Byte pro Sektor | 512 |
| Merkmale | V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller, End-to-End-Datenschutz, Halogen Free, TRIM-Unterstützung, Enhanced Power Loss Data Protection, Dynamic and Static Wear Leveling, NGUID unterstützt, S.M.A.R.T. |
| Breite | 69.85 mm |
| Tiefe | 100.2 mm |
| Höhe | 7 mm |
| Gewicht | 90 g |
Leistung
| Laufwerkaufzeichnungen pro Tag | 1 |
| Interner Datendurchsatz | 5200 MBps (lesen)/ 4000 MBps (Schreiben) |
| 4 KB Random Read | 850000 IOPS |
| 4 KB Random Write | 160000 IOPS |
| Mittlere Wartezeit | 0.02 ms |
Zuverlässigkeit
| MTBF | 2,000,000 Stunden |
| Nicht-korrigierbare Datenfehler | 1 pro 10^17 |
Erweiterung und Konnektivität
| Schnittstellen | PCI Express 4.0 x4 U.2 (NVMe) |
| Kompatibles Schaltfeld | 2.5" (6.4 cm) |
Stromversorgung
| Energieverbrauch | 11 Watt (Lesen) <br> 13.5 Watt (Schreiben) <br> 4 Watt (Leerlauf) |
Verschiedenes
| Kennzeichnung | RoHS, cUL, TUV, BSMI, CB, KCC, VCCI, RCM, FCC, IC |
Umgebungsbedingungen
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
| Min. Lagertemperatur | -40 °C |
| Max. Lagertemperatur | 85 °C |
| Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb | 5 - 95 % (nicht kondensierend) |
| Schocktoleranz (in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen |
| Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) | 20 g @ 10-2000 Hz |
Klassifizierung
| eClass-10.1-ID | 19150190 |
| eClass-11.1-ID | 19150190 |
| eClass-6.2-ID | 19150190 |
| eClass-7.1-ID | 19150190 |
| eClass-8.1-ID | 19150190 |
| eClass-9.1-ID | 19150190 |
| eClass-ID | 19030209 |
| UNSPSC 20.0601 Code | 43201830 |
| Zolltarifnummer | 84717098 |
Die Samsung SSD PM9A3 bietet eine herausragende Leistung mit sofortiger Reaktionsfähigkeit auf das Host-System, indem sie den Schnittstellenstandard Peripheral Component Interconnect Express (PCIe) 3.0 sowie das hocheffiziente Non-Volatile Memory Express (NVMe)-Protokoll verwendet.
Durch die Kombination des zuverlässigeren Samsung NAND-Flash-Speicher-Siliziums mit NAND-Flash-Verwaltungstechnologien bietet die Samsung SSD PM9A3 eine verlängerte Lebensdauer von bis zu 1,3 Schreibvorgängen pro Tag über einen Zeitraum von drei Jahren, was für Unternehmensanwendungen geeignet ist.
Darüber hinaus unterstützt die Samsung SSD PM9A3 Power Loss Protection (PLP). Die PLP-Lösung kann garantieren, dass die vom Hostsystem ausgegebenen Daten im Falle eines plötzlichen Stromausfalls oder einer plötzlichen Stromunterbrechung verlustfrei auf das Speichermedium geschrieben werden.
Durch die Kombination des zuverlässigeren Samsung NAND-Flash-Speicher-Siliziums mit NAND-Flash-Verwaltungstechnologien bietet die Samsung SSD PM9A3 eine verlängerte Lebensdauer von bis zu 1,3 Schreibvorgängen pro Tag über einen Zeitraum von drei Jahren, was für Unternehmensanwendungen geeignet ist.
Darüber hinaus unterstützt die Samsung SSD PM9A3 Power Loss Protection (PLP). Die PLP-Lösung kann garantieren, dass die vom Hostsystem ausgegebenen Daten im Falle eines plötzlichen Stromausfalls oder einer plötzlichen Stromunterbrechung verlustfrei auf das Speichermedium geschrieben werden.
