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Allgemein
| Gerätetyp | Solid State Drive - intern |
| Kapazität | 2 TB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp | Quad-Level Cell (QLC) |
| Formfaktor | 2.5" (6.4 cm) |
| Schnittstelle | SATA 6Gb/s |
| Puffergröße | 2 GB |
| Merkmale | TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Schlafmodus, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667 |
| Breite | 69.85 mm |
| Tiefe | 100 mm |
| Höhe | 6.8 mm |
| Gewicht | 46 g |
Leistung
| SSD-Leistung | 720 TB |
| Interner Datendurchsatz | 560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben) |
| 4 KB Random Read | 11000 IOPS |
| 4 KB Random Write | 35000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Write | 88000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Read | 98000 IOPS |
Zuverlässigkeit
| MTBF | 1,500,000 Stunden |
Erweiterung und Konnektivität
| Schnittstellen | 1 x SATA 6 Gb/s - 7-poliges Serial ATA |
| Kompatibles Schaltfeld | 2.5" (6.4 cm) |
Stromversorgung
| Energieverbrauch | 3.3 Watt (Durchschnitt) <br> 5.5 Watt (Maximum) <br> 0.045 Watt (Leerlauf) |
Herstellergarantie
| Service und Support | Begrenzte Garantie - 3 Jahre |
Umgebungsbedingungen
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
| Schocktoleranz (in Betrieb) | 0,5 ms Sinushalbwellen |
| Schocktoleranz (nicht in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms |
Klassifizierung
| eClass-10.1-ID | 19150190 |
| eClass-11.1-ID | 19150190 |
| eClass-6.2-ID | 19150190 |
| eClass-7.1-ID | 19150190 |
| eClass-8.1-ID | 19150190 |
| eClass-9.1-ID | 19150190 |
| eClass-ID | 19030209 |
| UNSPSC 20.0601 Code | 43201803 |
| Zolltarifnummer | 84717098 |
Die 870 QVO von Samsung, eine QLC SSD (Quad Level Cell Solid State Drive) der zweiten Generation, ist ein passendes Upgrade für alle Anwender, die ihren Laptop oder Desktoprechner für den alltäglichen Einsatz mit enorm viel Speicherplatz ausstatten möchten - ohne dabei Kompromisse bei der Leistung einzugehen.
