Samsung MZ-V8P2T0BW - 2 TB - M.2 - 7000 MB/s

Product number: MZ-V8P2T0BW

2TB - M.2 - NVMe - PCIe Gen 4.0 x4 - V-NAND 3-bit MLC - TRIM - S.M.A.R.T - AES 256-bit - 80.15 x 22.15 x 2.38 mm

10 Pieces available
Main features
Type Solid State Disk
General
Gerätetyp Solid State Drive - intern
Capacity 2 TB
Hardwareverschlüsselung Ja
Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES
Form factor M.2 2280
Schnittstelle PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Puffergröße 2 GB
Merkmale NVM Express (NVMe) 1.3c, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Samsung Elpis Controller, Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Schlafmodus, TurboWrite Technology, S.M.A.R.T.
Width 22.15 mm
Tiefe 80.15 mm
Höhe 2.38 mm
Weight 9 g
Leistung
SSD-Leistung 1200 TB
Interner Datendurchsatz 7000 MBps (lesen)/ 5100 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read 22000 IOPS
4 KB Random Write 60000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write 1000000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read 1000000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF 1,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Interfaces PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch 6.1 watt (Durchschnitt) <br> 7.2 watt (Maximum) <br> 35 mW (Leerlauf)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen Samsung Magician Software
Verschiedenes
Mark IEEE 1667
Herstellergarantie
Service und Support Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur 0 °C
Max. Betriebstemperatur 70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms
Classification
eClass-10.1-ID 19150190
eClass-11.1-ID 19150190
eClass-6.2-ID 19150190
eClass-7.1-ID 19150190
eClass-8.1-ID 19150190
eClass-9.1-ID 19150190
eClass-ID 19030209
UNSPSC 20.0601 Code 43201830
custom tariff number 84717098
Samsung MZ-V8P2T0BW - 2 TB - M.2 - 7000 MB/s - 2TB - M.2 - NVMe - PCIe Gen 4.0 x4 - V-NAND 3-bit MLC - TRIM - S.M.A.R.T - AES 256-bit - 80.15 x 22.15 x 2.38 mm