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Allgemein
| Gerätetyp | Solid State Drive - intern |
| Kapazität | 2 TB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp | TLC (Triple-Level Cell) |
| Formfaktor | M.2 2280 |
| Schnittstelle | PCI Express 5.0 x4 (NVMe) |
| Merkmale | TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Geräte-Schlafunterstützung, Samsung V-NAND TLC Technology, integrierter Kühlkörper, Intelligent TurboWrite 2.0 Technology, kompatibel mit PlayStation, NVMe 2.0, S.M.A.R.T. |
| Breite | 22.15 mm |
| Tiefe | 80.15 mm |
| Höhe | 2.38 mm |
| Gewicht | 9 g |
Leistung
| SSD-Leistung | 1200 TB |
| Interner Datendurchsatz | 14700 MBps (lesen)/ 13400 MBps (Schreiben) |
| Maximal 4 KB Random Write | 2600000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Read | 1850000 IOPS |
Zuverlässigkeit
| MTBF | 1.500.000 Stunden |
Erweiterung und Konnektivität
| Kompatibles Schaltfeld | M.2 2280 |
Stromversorgung
| Energieverbrauch | 8.1 Watt (Lesen) <br> 7.9 Watt (Schreiben) <br> 4.8 Watt (Leerlauf) <br> 4 mW (Sleep-Modus) |
Software & Systemanforderungen
| Software inbegriffen | Samsung Magician Software |
Verschiedenes
| Kennzeichnung | IEEE 1667 |
| Farbe | Schwarz |
| Verpackungsdetails | Box |
Herstellergarantie
| Service und Support | Begrenzte Garantie - 5 Jahre / 1200 TBW |
Umgebungsbedingungen
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
| Min. Lagertemperatur | -40 °C |
| Max. Lagertemperatur | 85 °C |
| Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb | 5 - 95 % (nicht kondensierend) |
| Schocktoleranz (nicht in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen |
| Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) | 20 g @ 20-2000 Hz |
Klassifizierung
| eClass-10.1-ID | 19150190 |
| eClass-11.1-ID | 19150190 |
| eClass-6.2-ID | 19150190 |
| eClass-7.1-ID | 19150190 |
| eClass-8.1-ID | 19150190 |
| eClass-9.1-ID | 19150190 |
| eClass-ID | 19030209 |
| UNSPSC 20.0601 Code | 43201803 |
| Zolltarifnummer | 84717098 |
Das Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 bietet Leistung mit einer Speicherkapazität von 2 TB. Durch die Verwendung der Samsung V-NAND TLC-Technologie und der Intelligent TurboWrite 2.0-Technologie gewährleistet dieses interne Solid-State-Laufwerk Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungen mit internen Datenraten von bis zu 14.700 MB/s beim Lesen und 13.400 MB/s beim Schreiben. Der M.2 2280-Formfaktor macht es zu einer kompakten Wahl für verschiedene Geräte und verbessert die Gesamtreaktionsfähigkeit des Systems. Das Laufwerk wurde für Zuverlässigkeit entwickelt und verfügt über einen robusten integrierten Kühlkörper und unterstützt TRIM sowie Algorithmen für die automatische Speicherbereinigung, die dazu beitragen, die optimale Leistung über einen längeren Zeitraum aufrechtzuerhalten. Durch die Einhaltung von NVMe 2.0 und einer PCI Express 5.0 x4-Schnittstelle eignet sich diese SSD für anspruchsvolle Aufgaben. Die Gerätetoleranz gegenüber Stößen und Vibrationen sorgt für Langlebigkeit, während die Hardwareverschlüsselung Datensicherheit für sensible Informationen bietet.
