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General
| Gerätetyp | Solid State Drive - intern |
| Capacity | 4 TB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp | TLC (Triple-Level Cell) |
| Form factor | M.2 2280 |
| Schnittstelle | PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
| Merkmale | Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 |
| Width | 22.15 mm |
| Tiefe | 80.15 mm |
| Höhe | 2.38 mm |
| Weight | 9 g |
Leistung
| Interner Datendurchsatz | 7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben) |
| Maximal 4 KB Random Write | 1400000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Read | 1050000 IOPS |
Zuverlässigkeit
| MTBF | 1.500.000 Stunden |
Erweiterung und Konnektivität
| Kompatibles Schaltfeld | M.2 2280 |
Stromversorgung
| Energieverbrauch | 5.5 Watt (Lesen) <br> 4.8 Watt (Schreiben) <br> 60 mW (Standby) <br> 5 mW (Sleep-Modus) |
Software & Systemanforderungen
| Software inbegriffen | Samsung Magician Software |
Verschiedenes
| Case material | Nickelbeschichtung |
Abmessungen & Gewicht (Transport)
| Transportbreite | 9.9 cm |
| Transporttiefe | 2.29 cm |
| Transporthöhe | 14.2 cm |
Herstellergarantie
| Service und Support | Begrenzte Garantie - 5 Jahre / 2400 TBW |
Umgebungsbedingungen
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
| Min. Lagertemperatur | -40 °C |
| Max. Lagertemperatur | 85 °C |
| Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb | 5 - 95 % (nicht kondensierend) |
| Schocktoleranz (nicht in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms |
| Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) | 20 g @ 20-2000 Hz |
Classification
| eClass-10.1-ID | 19150190 |
| eClass-11.1-ID | 19150190 |
| eClass-6.2-ID | 19150190 |
| eClass-7.1-ID | 19150190 |
| eClass-8.1-ID | 19150190 |
| eClass-9.1-ID | 19150190 |
| eClass-ID | 19030209 |
| UNSPSC 20.0601 Code | 43201803 |
| custom tariff number | 84717098 |
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